Intel公布初代“礦卡”細節(jié)：晶體管數(shù)量突破1000億個

ISSCC 2022國際固態(tài)電路會議期間，Intel不但公布了初代“礦卡”的細節(jié)，還深入介紹了Ponte Vecchio計算加速卡的情況。

Ponte Vecchio計算加速卡是基于Xe HPC高性能計算架構(gòu)的第一款產(chǎn)品，專門面向超級計算機，將在今年晚些時候按計劃出貨，首批供給美國能源部的超算“Aurora”。

Intel此前曾經(jīng)披露過，它使用了5種不同的制造工藝，內(nèi)部封裝多達47個芯片/單元(Tile)，晶體管數(shù)量突破1000億個。

根據(jù)最新資料，Ponte Vecchio整體面積達77.5×62.5=4844平方毫米，多達4468個針腳，采用了特殊的空腔封裝(Cavity Package)，共有四個186平方毫米的空腔，共分為24層(11-2-11的布局)，還有11個2.5D互連通道。

它通過Foveros、EMIB等先進封裝技術(shù)，集成了總共多達63個Tile，其中47個是功能性的，包括16個計算單元、8個RAMBO緩存單元、2個Foveros封裝基礎(chǔ)單元、8個HBM2E單元、2個Xe鏈路單元、11個EMIB互連單元，總面積2330平方毫米。

它們還負責提供內(nèi)存控制器、FIVR、電源管理、16條PCIe 5.0、CXL。

另外還有16個Tile，是專門是輔助散熱的，總面積770平方毫米，合計達到了驚人的3100平方毫米。

為什么設(shè)置這么多散熱Tile?因為整體功耗達到了恐怖的600W!

這是不同Tile布局的頂視圖、側(cè)視圖。

藍色的是核心計算單元，臺積電N5 5nm工藝制造，每個集成8個Xe核心、4MB一級緩存。

位于計算單元中間的，是特殊的RAMBO緩存，可以稱之為三級緩存，Intel 7工藝制造(10nm ESF)，是一種專門針對高帶寬優(yōu)化的RAM緩存，每個TIle 15MB，合計120MB。

承載它們的是基礎(chǔ)單元(Base Tile)，負責通信傳輸，Intel 7工藝加Foveros封裝，面積646平方毫米，共有17層。

基礎(chǔ)單元和HBM2E高帶寬內(nèi)存、Xe Link鏈路單元之間，則通過Co-EMIB來封裝、通信，其中Xe Link鏈路單元是臺積電N7 7nm工藝，負責鏈接不同的Ponte Vecchio GPU。

帶寬方面，計算單元對外高達2.6TB/s，RAMBO緩存對外則是1.3TB/s。

Ponte Vecchio其實有兩種功耗指標，風冷下最高450W，水冷最高才是600W。

風冷模式下，計算單元、RAMBO緩存、HBM內(nèi)存、Xe Link等不同部位的最高允許溫度66-73℃不等，水冷模式下則是63-70℃。

標簽： 初代礦卡 顯卡晶體管 計算加速卡