閃存、內(nèi)存現(xiàn)貨價格下跌速度放緩：預計明年初觸底

對于想要抄底買內(nèi)存的小伙伴來說，可以適當?shù)目紤]了，因為現(xiàn)貨價格下跌速度已經(jīng)放緩了。

據(jù)《電子時報》報道，11月主流 8Gb和16Gb DDR4芯片現(xiàn)貨價格下跌0.7-1.5%，而10月的平均跌幅為7%，11月3D TLC NAND閃存芯片現(xiàn)貨價格跌幅同樣較上月趨緩，SLC和MLC NAND芯片價格已停止下跌。

消息人士指出，為保持價格穩(wěn)定，上游芯片供應商對明年的產(chǎn)能擴張保持謹慎，使得現(xiàn)貨市場的供應商能夠協(xié)商出更好的價格。據(jù)消息人士稱，2022年DRAM整體位供應量預計將增加約5%。

同時，出于盈利考慮，芯片供應商正尋求將更多用于低密度商品DRAM內(nèi)存的可用產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至CMOS圖像傳感器的制造，同時啟動DDR6內(nèi)存研發(fā)。

該消息人士稱，盡管渠道零售商和分銷商對2022年第一季度的需求前景仍然悲觀，但在2月中旬之后，需求的可見度有可能變得更加清晰。

標簽： 放緩，預計，明年初