三星研發(fā)新一代HBM3內(nèi)存，帶寬輕松超過1024/s

AMD及Intel的新一代平臺(tái)已經(jīng)支持了DDR5內(nèi)存，雙通道的帶寬輕松超過50GB/s，高頻版的逐漸逼近100GB/s，然而這個(gè)性能跟HBM3內(nèi)存比起來(lái)還是小巫見大巫，三星已經(jīng)研發(fā)了新的HBM3內(nèi)存，帶寬輕松超過1024GB/s。

JEDEC組織今年初發(fā)布了HBM3的標(biāo)準(zhǔn)，繼續(xù)在存儲(chǔ)密度、帶寬、通道、可靠性、能效等各個(gè)層面進(jìn)行擴(kuò)充升級(jí)，其中傳輸數(shù)據(jù)率在HBM2基礎(chǔ)上再次翻番，每個(gè)針腳(pin)的傳輸率為6.4Gbps，配合1024-bit位寬，單顆最高帶寬可達(dá)819GB/s。

三星研發(fā)的新一代HBM3內(nèi)存陣腳速率更高，達(dá)到了8Gbps/pin，堆棧4顆的情況下帶寬輕松達(dá)到1024GB/s，是DDR5內(nèi)存的十幾倍。

另外，頻率越高的話出錯(cuò)也更多，為此三星還有更強(qiáng)的內(nèi)存糾錯(cuò)功能，每個(gè)HBM內(nèi)存芯片都內(nèi)置了1組ECC糾錯(cuò)電路，確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性。

三星的HBM3內(nèi)存沒有公布何時(shí)上市，不過真要應(yīng)用的話應(yīng)該也會(huì)首先用于數(shù)據(jù)中心顯卡及處理器上，消費(fèi)級(jí)平臺(tái)使用的可能性不大，畢竟HBM3的成本是普通用戶無(wú)法承受的。

標(biāo)簽： 三星研發(fā)新一代HBM3內(nèi)存 內(nèi)存帶寬 三星內(nèi)存