skhynix是什么牌子？海力士公司怎么樣？海力士公司發(fā)展歷程

SK hynix(簡(jiǎn)稱：SK)海力士公司是韓國(guó)一家生產(chǎn)以DRAM、NAND Flash & CIS非存儲(chǔ)器為主的半導(dǎo)體供應(yīng)商，是全球第二大內(nèi)存芯片制造商，僅次于三星電子之后，也是世界第五大半導(dǎo)體公司，總部位于韓國(guó)利川。前身為1983年成立的現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社，1996年正式在韓國(guó)上市，1999年收購(gòu)LG半導(dǎo)體，2001年從現(xiàn)代集團(tuán)分離出來(lái)，更名為(株)海力士半導(dǎo)體，2004年10月將系統(tǒng)IC業(yè)務(wù)出售給花旗集團(tuán)，成為專業(yè)的存儲(chǔ)器制造商，2012年2月韓國(guó)第三大財(cái)閥SK集團(tuán)宣布收購(gòu)海力士21.05%的股份從而入主這家內(nèi)存大廠，更名為SK hynix。

蘋果公司在一些iMac，MacBook和MacBook Pro電腦上使用海力士?jī)?nèi)存。谷歌自有品牌Nexus7平板電腦，OEM供應(yīng)商IBM System x服務(wù)器，臺(tái)式PC，華碩的Eee PC都使用海力士?jī)?nèi)存。戴爾和惠普也采用海力士?jī)?nèi)存作為OEM設(shè)備。使用海力士存儲(chǔ)器的產(chǎn)品包括：DVD播放器，蜂窩電話，機(jī)頂盒，個(gè)人數(shù)字助理，聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和硬盤驅(qū)動(dòng)器等。

(相關(guān)資料圖)

截止2019年7月，股價(jià)為80400韓元，約66美元，總市值52萬(wàn)億韓元，約430多億美元，世界500強(qiáng)排名第363位。

二、發(fā)展歷程

■ 1983.02，創(chuàng)立現(xiàn)代電子株式會(huì)社;

■ 1996.12，公司股票在韓國(guó)上市;

■ 1999.10，合并LG半導(dǎo)體，成立現(xiàn)代半導(dǎo)體株式會(huì)社;

■ 2001.03，公司更名為(株)海力士半導(dǎo)體;

■ 2001.08，完成與現(xiàn)代集團(tuán)的最終剝離;

■ 2003.04，宣布與ST Microelectronics公司簽定合作生產(chǎn)NAND閃存的協(xié)議;

■ 2003.12，宣布與茂德科技簽署長(zhǎng)期的戰(zhàn)略性MOU;

■ 2004.07，獲得公司成立以來(lái)最大的季度銷售利潤(rùn);

■ 2005.07，提前終止企業(yè)重組完善協(xié)議;

■ 2006.10，海力士-意法半導(dǎo)體竣工(無(wú)錫工廠);

■ 2007.04，在韓國(guó)清州動(dòng)土建造300mm fab;

■ 2007.03，任命Jong-Kap Kim作為新會(huì)長(zhǎng)及執(zhí)行總裁;

■ 2007.12，成功發(fā)行約6億美元大規(guī)模海外債券;

■ 2008.05，宣布與臺(tái)灣茂德科技簽訂全面合作合約;

■ 2008.08，清州300mm專用第3工場(chǎng)竣工;

■ 2009.02，成功開發(fā)世界頂尖44nm DDR3 DRAM;

■ 2010.06，中國(guó)海太半導(dǎo)體封裝測(cè)試項(xiàng)目竣工;

■ 2010.09，入選道瓊斯可持續(xù)發(fā)展世界指數(shù);

■ 2011.07，與東芝簽署MRAM聯(lián)合開發(fā)協(xié)議;

■ 2012.02，SK電訊收購(gòu)海力士;

■ 2012.05，公司名稱正式變更為SK海力士株式會(huì)社;

■ 2012.06，清州建立M12工廠;

■ 2012.06，收購(gòu) Ideaflash S.r.l , 于歐洲建立閃存研發(fā)中心;

■ 2012.06，與IBM簽署聯(lián)合開發(fā)PCRAM的協(xié)議;

■ 2013.02，任命Park Sung Wook為新任CEO;

■ 2013.06，與Rambus簽署了專利許可協(xié)議;

■ 2013.07，與三星電子簽署了交叉許可協(xié)議;

■ 2014.05，與Violin Memory的PCle Card部門合并;

■ 2014.06，與Softeq Development FLLC的固件部門合并;

■ 2014.09，于中國(guó)四川省重慶市建立后端線;

■ 2014.12，與東芝簽署了聯(lián)合開發(fā)納米壓印光刻諒解備忘錄;

■ 2015.08，利川M14竣工;

■ 2016.12，公開在忠清北道青州市建立晶圓廠的計(jì)劃;

■ 2017.04，開發(fā)72層3D NAND閃存。

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