單條1TB內(nèi)存不是夢(mèng) DDR6內(nèi)存將在2024年完成設(shè)計(jì)

DDR5內(nèi)存去年隨著Intel 12代酷睿的發(fā)布而正式進(jìn)入商用階段，今年AMD的銳龍7000也會(huì)加入支持，未來(lái)幾年里這會(huì)是新的內(nèi)存主流，不過(guò)它的繼任者DDR6內(nèi)存也在路上了，頻率可能會(huì)達(dá)到17GHz，預(yù)計(jì)2024年完成設(shè)計(jì)。

日前三星高管在一次會(huì)議上確認(rèn)了他們研發(fā)的DDR6內(nèi)存會(huì)用上MSAP封裝工藝，有助于提高PCB的高頻高速性能，不過(guò)SK海力士已經(jīng)在DDR5內(nèi)存上就使用過(guò)MSAP技術(shù)了。

這不是三星第一次提到DDR6內(nèi)存，實(shí)際上去年底三星就公布了DDR6內(nèi)存的路線圖，相比DDR5內(nèi)存來(lái)說(shuō)會(huì)進(jìn)一步提升內(nèi)存頻率、容量。

具體來(lái)說(shuō)，三星之前提到DDR6會(huì)比DDR5頻率再次翻倍，達(dá)到了12.8GHz(或者12.8Gbps),超頻頻率則可以達(dá)到17GHz，是DDR5的2倍、DDR4的4倍。

不過(guò)這顯然不是極限，實(shí)際上現(xiàn)在的DDR5內(nèi)存頻率已經(jīng)沖到了12.6GHz，DDR6未來(lái)的頻率上限超過(guò)20GHz也不是沒(méi)可能。

除了頻率之外，DDR6的內(nèi)存容量也有大漲，每個(gè)內(nèi)存條內(nèi)的通道數(shù)翻倍到4通道，bank容量從16提升到64，這些都會(huì)數(shù)倍提升DDR6的內(nèi)存容量，考慮到現(xiàn)在都可以制造出單條256GB的內(nèi)存，未來(lái)單條1TB的DDR6內(nèi)存不是夢(mèng)。

按照三星的計(jì)劃，DDR6預(yù)計(jì)會(huì)在2024年完成設(shè)計(jì)，不過(guò)2025年之前是不可能見(jiàn)到產(chǎn)品的，未來(lái)普及的話可能更遠(yuǎn)，畢竟DDR5現(xiàn)在也就是剛剛商用階段。

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